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英文字典中文字典相关资料:


  • 在微电子工艺中产生“小丘”（Hillocks）的原因
    在微电子学中，希洛克（hillocks）是薄膜表面形成的突起，常见于用于微电子的金属膜。 其形成主要归因于薄膜中的热力学应力和晶界扩散过程。 以下是导致希洛克形成的过程的详细描述： 1 热应力热膨胀不匹配：希洛克…
  • 纯Al靶材Hillock简介 - 百度文库
    与薄膜中晶粒生长和析出过程类似，在某些薄膜表面形成小丘的现 象也被认为是一种应力的释放过程。 对于Al膜 玻璃系统，在加热升 温的过程中，当Al栅电极形成之后，还要经过多道PECVD制膜工艺， 温度由室温变化到300℃以上，使Al膜中的压缩应力逐渐增大。
  • 纯Al靶材Hillock简介 - 豆丁网
    1 合金化 通过合金化在纯Al中加入少量的Nd、Ti、Zr、Ta、Si、Sc、Cu等元素可以有效抑制Hillock的产生,原因是合金化后形成固溶体,增加了Al的硬度,合金化可以在晶界部位形成一种薄膜,阻碍Al沿晶界移动,进而防止Hillock。
  • 纯Al靶材Hillock简介. pdf
    纯Al靶材Hillock简介 Background 带有几十电子伏以上动能的荷能粒子轰击固体材料表面时，材料表面的原 子或分子获得足够的能量而脱离固体的束缚逸出到气相中，这一现象成为 溅射。 而把靶材溅射到气体中的材料收集起来，使之沉积成膜，则成为溅 射镀膜。
  • 半导体制造工艺中铝金属突起缺陷的研究-雷海波姚亮杨继业季 . . .
    摘要 在半导体生产制造过程中，AI Hillock (铝金属突起)是金属工艺中常见的缺陷之一 通过对铝金属成膜的工艺参数的实验和研究，发现提高铝的成膜温度，弱化铝的 (111)晶向，以及增加抗反射层Ti的厚度，都可以减少或者避免Hillock的发生。
  • 半导体制造工艺中铝金属突起缺陷的研究 - 道客巴巴
    在模拟电路设训中． 常常希望采用高稳定性、 低噪声的金属． 介质． 金属电弈。 扳采用配线用的锅线， 而且使用面积较大（ 100岬2～900岬2）。 这种结构比较容易产生hillock ， 导致hillock问题需茧改善的需求更为追剀。
  • 改善Cu丘状突起缺陷的方法与流程 - X技术网
    3、对于现有的铜互联工艺，在sin薄膜沉积后大都会产生大量的丘状突起 (hillock)缺陷，这些hillock是铜或氧化铜晶粒在sin薄膜沉积过程中产生的高温作用下再生长形成，形成处往往为cu的晶界处。 4、由于铜hillock存在，hillock附近的电场较大，容易造成电流
  • Hillock formation in β-Sn films during high frequency cyclic bending at . . .
    An incubation period, often observed for whisker and hillock formation, has been associated with reaching a critical compressive stress in the film for whiskers or hillock to form
  • TFT製程中抑制Hillock之研究=A STUDY OF SUPPRESSING . . .
    Hillock的發生會受到靶材材料、薄膜厚度、退火溫度及成膜速率的影響。 同時對真空室內N2殘留量也是重要的因素之一。 研究結果使用鋁鎳鑭的靶材在N2殘氣值為2×10-4Pa時成膜時不會產生Hillock。
  • 平面顯示器用鋁合金濺鍍靶材之發展：材料世界網
    利用濺鍍的方式沈積鋁合金金屬薄膜，金屬添加物的種類和多寡對薄膜的特性的影響也會繼續扮演著重要的角色，本文對Hillock 形成的機構和解決方法做一些介紹，但是到現在為止熱處理過程中Hillock 形成的確切原因和機構尚無法清楚的解釋，只有當Hillock 形成的機構完全瞭解的時候，我們才有辦法正確而且有效的解決Hillock 的問題。





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