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英文字典中文字典相关资料:


  • 闩锁效应（Latch-up）详解 - 知乎
    在CMOS集成电路中，闩锁效应不容忽视。 这篇文章将从0开始给大家介绍闩锁效应（Latch-up），以及有效抑制闩锁效应的方法。 一、背景知识 （1）双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）图1展示了典型的N…
  • Latch up 闩锁效应-CSDN博客
    Latch up概念 CMOS电路中，存在寄生的三极管PNPN,它们相互影响在VDD与GND间产生一低阻通路，形成大电流，烧坏芯片这就是 闩锁效应 随着IC特征尺寸越来越小，集成度越来越高，闩锁效应发生的可能性越来越高； Latch up形成机制
  • Latch-up - Wikipedia
    Latch-up In electronics, a latch-up is a type of short circuit which can occur in an integrated circuit (IC)
  • latch up_百度百科
    Latch up 是指 cmos 晶片中，在电源power VDD和地线 GND (VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性 BJT 相互影响而产生的一低阻抗通路。
  • 一文搞懂闩锁效应（Latch up） - 藍色天空
    什么是Latch up？ Latch up是指在CMOS晶片中，由于寄生的NPN和PNP三极管相互导通使得在电源VDD和地VSS之间产生低阻抗通路，导致VDD和VSS之间产生大电流的一种机制。 长时间的大电流将会对芯片产生永久性的损坏。
  • 闩锁效应（Latch-up）原理解析 - 知乎
    一、闩锁效应：实际上是由于CMOS电路中基极和集电极相互连接的两个BJT管子(下图中，侧面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的，在两个管子的电流放大系数均大于1时，电流在这两个管子构成的回路中不停地被放大，…
  • 一文搞懂闩锁效应（Latch up）-腾讯云开发者社区-腾讯云
    文章介绍PN结和三极管基础，阐述CMOS晶片Latch up形成机理及多种原因，包括电位过冲、击穿等致寄生三极管导通。 还提出从工艺制造、版图设计、电路设计角度防止闩锁的措施，如用浅槽隔离、Guardring等，最后探讨触发闩锁常见情况。
  • 【芯片可靠性】Latch up闩锁_latch up测试-CSDN博客
    大家记住这张图，脑子里有这张图后就知道里面的PNP和NPN分别对应CMOS结构里面的哪些 P-sub Nwell等等 一、Latch up分类： （1）大类分为：静态和dynamic 一般常规的或者说大部分的芯片设计公司都是按照静态来走
  • [ Layout ] 闩锁效应（Latch-up）产生机制和版图优化方法 - YEUNGCHIE - 博客园
    CMOS Latch-up 原理 Latch-up 是指 CMOS 芯片中, 在电源 Power (VDD) 和地线 Ground (VSS) 之间由于寄生的 PNP 和 NPN 双极性 BJT 相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使 VDD 和 VSS 之间产生大电流。 Latch-up 最易产生在易受外部干扰的 I O 电路处, 也偶尔发生在内部电路
  • 闩锁效应(latch up) - E2E™ 设计支持
    我用一句最简单的话来概括,大家只要记住这句话就行了:latch-up 是PNPN的连接,本质是两个寄生双载子transisitor 的连接,每一个transistor 的基极(base )与集极(collector)相连,也可以反过来说,每一个transistor 的集极(collector )与另一个transistor 的基极(base)相连,形成positive feedback





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